制造商:Vishay
產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管
商標:Vishay Semiconductors
配置:Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V
柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V
最大工作溫度:+ 150 C
封裝 / 箱體:SOT-227-4
封裝:Tube
集電極最大連續(xù)電流 Ic:342 A
最小工作溫度:- 55 C
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
工廠包裝數(shù)量:10
GA200SA60SP
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GA200SA60SP | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR | IRF[International Rectifier] | 322.87 Kbytes | 共9頁 | IRG4PC50FPBF,IRG4BC10SDPBF,IRG4PC40UPBF,IRG4BC15UDPBF,IRG4PC50UDPBF,IRG4PC50WPBF,IRG4BC30FPBF,IRG4PC60F-PPBF,IRGP4063DPBF,IRGP4068DPBF | 產(chǎn)品購買 | |||
| GA200SA60SP | Insulated Gate Bipolar Transistor Ultralow VCE(on), 342 A | VISHAY[Vishay Siliconix] | 182.52 Kbytes | 共9頁 | 產(chǎn)品購買 |
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