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GA200HS60S1
規(guī)格信息：

產(chǎn)品種類IGBT 模塊

產(chǎn)品IGBT Silicon Modules

配置Dual

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO600 V

在25 C的連續(xù)集電極電流480 A

最大工作溫度+ 150 C

封裝 / 箱體INT-A-PAK

封裝Bulk

柵極/發(fā)射極最大電壓+/- 20 V

最小工作溫度- 40 C

安裝風(fēng)格Screw

工廠包裝數(shù)量6

介紹圖GA200HS60S1
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
GA200HS60S1HALF-BRIDGE IGBT INT-A-PAK Standard Speed IGBT IRF[International Rectifier]IRF[International Rectifier]的LOGO-天天IC網(wǎng)67.2 Kbytes共6頁GA200HS60S1的PDF文件地址IRG4BC30S-SPBF,IRG4PC50S-P,IRG4PC40SPBF,IRG4BC40SPBF,IRG4PC30SPBF,RJK6014DPP,IRG4PC60F-P,IRG4PC60UPBF,STSMIA832,IRG4CC50WB GA200HS60S1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
GA200HS60S1PBF'Half-Bridge' IGBT INT-A-PAK (Standard Speed IGBT), 200 A VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO-天天IC網(wǎng)128.53 Kbytes共6頁GA200HS60S1PBF的PDF文件地址 GA200HS60S1PBF的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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