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FQU11P06
規(guī)格信息：

制造商:Fairchild Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:9.4 A

Vds-漏源極擊穿電壓:- 60 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:185 mOhms

晶體管極性:P-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :30 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:IPAK-3

商標(biāo):Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:45 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:40 ns

系列:FQU11P06

典型關(guān)閉延遲時間:15 ns

典型接通延遲時間:6.5 ns

FQU11P06

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
FQU11P06	60V P-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	615.94 Kbytes	共9頁	FDFS2P106A,FQAF47P06,STB16PF06L,FDN5618P,FQB7P06,ZXMP6A17G,ZXMP6A13G,FQP27P06,FQPF27P06,FQB11P06	產(chǎn)品購買
FQU11P06	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]	1666.32 Kbytes	共7頁		產(chǎn)品購買
FQU11P06_09	60V P-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	856.8 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
FQU11P06TU	MOSFET 60V P-Channel QFET	ON Semiconductor / Fairchild	1.31 Mbytes	共12頁		產(chǎn)品購買
FQU11P06TU	MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK	ON Semiconductor	1.32 Mbytes	共11頁		產(chǎn)品購買
FQU11P06TU	MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK	ON Semiconductor	1.32 Mbytes	共11頁		產(chǎn)品購買