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FQPF2N80
規(guī)格信息：

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220FP-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:800 V

Id-連續(xù)漏極電流:1.5 A

Rds On-漏源導通電阻:6.3 Ohms

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:35 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:QFET

封裝:Tube

高度:16.07 mm

長度:10.36 mm

系列:FQPF2N80

晶體管類型:1 N-Channel

類型:MOSFET

寬度:4.9 mm

商標:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨導 - 最小值:2.2 S

下降時間:28 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:30 ns

工廠包裝數(shù)量:1000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:25 ns

典型接通延遲時間:12 ns

單位重量:2.270 g

FQPF2N80

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
FQPF2N80	800V N-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	619.27 Kbytes	共8頁	STW12NK80Z,FQAF10N80,FQP5N80,STW18NK80Z,FQA10N80C,STP4NC80Z,FQAF13N80,FQP6N80,STP3NK80Z,FQP3N80C	產(chǎn)品購買
FQPF2N80YDTU	MOSFET QF 800V 6.3OHM TO220F	ON Semiconductor / Fairchild	1.31 Mbytes	共11頁		產(chǎn)品購買
FQPF2N80YDTU	MOSFET N-CH 800V TO-220-3	ON Semiconductor	1.32 Mbytes	共10頁		產(chǎn)品購買
FQPF2N80YDTU	MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F-3	Fairchild Semiconductor	1.32 Mbytes	共10頁		產(chǎn)品購買
FQPF2N80YDTU	MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F-3	ON Semiconductor	1.32 Mbytes	共10頁		產(chǎn)品購買