������:ON Semiconductor
�a(ch��n)Ʒ�N�:MOSFET
RoHS:��
���g(sh��):Si
���b�L(f��ng)��:Through Hole
���b / ���w:TO-220FP-3
ͨ����(sh��)��:1 Channel
���w�ܘO��:N-Channel
Vds-©Դ�O����늉�:100 V
Id-�B�m(x��)©�O���:13.6 A
Rds On-©Դ��(d��o)ͨ���:100 mOhms
Vgs - �ŘO-Դ�O늉�:25 V
��С�����ض�:- 55 C
������ض�:+ 175 C
Pd-���ʺ�ɢ:38 W
����:Single
ͨ��ģʽ:Enhancement
�̘�(bi��o)��:QFET
���b:Tube
�߶�:16.07 mm
�L��:10.36 mm
ϵ��:FQPF19N10
���w�����:1 N-Channel
���:MOSFET
����:4.9 mm
�̘�(bi��o):ON Semiconductor / Fairchild
����猧(d��o) - ��Сֵ:10 S
�½��r�g:65 ns
�a(ch��n)Ʒ���:MOSFET
�����r�g:150 ns
���S���b��(sh��)��:1000
��e:MOSFETs
�����P(gu��n)�]���t�r�g:20 ns
���ͽ�ͨ���t�r�g:7.5 ns
���̖�e��:FQPF19N10_NL
�����:2.270 g