制造商:Fairchild Semiconductor
產(chǎn)品種類:MOSFET
Id-連續(xù)漏極電流:8 A
Vds-漏源極擊穿電壓:250 V
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:550 mOhms
晶體管極性:N-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓 :30 V
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:87 W
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220-3
商標(biāo):Fairchild Semiconductor
通道模式:Enhancement
配置:
1000
Single
下降時(shí)間:42 ns
最小工作溫度:- 55 C
上升時(shí)間:95 ns
系列:FQP8N25
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:11 ns
典型接通延遲時(shí)間:10 ns