制造商:ON Semiconductor
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:100 V
Id-連續(xù)漏極電流:57 A
Rds On-漏源導通電阻:25 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:25 V
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:160 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標名:QFET
封裝:Tube
高度:16.3 mm
長度:10.67 mm
系列:FQP70N10
晶體管類型:1 N-Channel
類型:MOSFET
寬度:4.7 mm
商標:ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導 - 最小值:45 S
下降時間:160 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:470 ns
工廠包裝數(shù)量:1000
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:130 ns
典型接通延遲時間:30 ns
單位重量:1.800 g
FQP70N10
| 型號 | 功能描述 | 生產(chǎn)廠商 | 廠商LOGO | PDF大小 | PDF頁數(shù) | PDF文件 | 相關型號 | 第一頁預覽 | 產(chǎn)品購買 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FQP70N10 | 100V N-Channel MOSFET | FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor] | 636.42 Kbytes | 共8頁 | STL35NF10,ZXMN10A08E6,FDS3612,FQA70N10,FQB44N10,FQPF13N10,FQT7N10L,2N6796,HUF76619D3 | 產(chǎn)品購買 | |||
| FQP70N10 | 57A,100V Heatsink Planar N-Channel Power MOSFET | THINKISEMI[Thinki Semiconductor Co., Ltd.] | 1548.12 Kbytes | 共7頁 | 產(chǎn)品購買 |
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