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FP50R12KE3
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產品種類:IGBT 模塊

RoHS:是

產品:IGBT Silicon Modules

配置:Hex

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V

集電極—射極飽和電壓:2.15 V

在25 C的連續(xù)集電極電流:75 A

柵極—射極漏泄電流:400 nA

Pd-功率耗散:270 W

封裝 / 箱體:EconoPIM3

最小工作溫度:- 40 C

最大工作溫度:+ 125 C

封裝:Tray

高度:17 mm

長度:122 mm

寬度:62 mm

商標:Infineon Technologies

安裝風格:Chassis Mount

柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V

產品類型:IGBT Modules

工廠包裝數(shù)量:10

子類別:IGBTs

零件號別名:FP50R12KE3BOSA1 SP000101740

單位重量:300 g

介紹圖FP50R12KE3
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
FP50R12KE3Elektrische Eigenschaften / Electrical properties EUPEC[eupec GmbH]EUPEC[eupec GmbH]的LOGO-天天IC網211.76 Kbytes共11頁FP50R12KE3的PDF文件地址FP75R12KE3,JZC-22F_05,SM06503395,SM08502350,N3753AADC6P,SM06503410,SM08502390,M10FF3,N4099_05,SM06623410 FP50R12KE3的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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