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FP50R06W2E3
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:IGBT 模塊

產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules

配置:IGBT-Inverter

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V

集電極—射極飽和電壓:1.45 V

在25 C的連續(xù)集電極電流:65 A

柵極—射極漏泄電流:400 nA

Pd-功率耗散:175 W

封裝 / 箱體:Module

最小工作溫度:- 40 C

最大工作溫度:+ 150 C

封裝:Tray

商標(biāo):Infineon Technologies

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V

產(chǎn)品類型:IGBT Modules

工廠包裝數(shù)量:15

子類別:IGBTs

零件號(hào)別名:FP50R06W2E3BOMA1 SP000375909

單位重量:39 g

FP50R06W2E3

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
FP50R06W2E3	EasyPIM Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTC	INFINEON[Infineon Technologies AG]	2846.14 Kbytes	共12頁	產(chǎn)品購買
FP50R06W2E3	EasyPIM Modul mit Trench	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1056.99 Kbytes	共12頁	產(chǎn)品購買
FP50R06W2E3_13	EasyPIM Modul mit Trench	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1056.99 Kbytes	共12頁	產(chǎn)品購買
FP50R06W2E3_B11	EasyPIMa?￠2B module PressFIT with trench/fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 Diode	INFINEON[Infineon Technologies AG]	518.45 Kbytes	共11頁	產(chǎn)品購買
FP50R06W2E3_B11	EasyPIM2B Modul PressFIT mit Trench	INFINEON[Infineon Technologies AG]	679.9 Kbytes	共11頁	產(chǎn)品購買
FP50R06W2E3_B11_13	EasyPIM2B Modul PressFIT mit Trench	INFINEON[Infineon Technologies AG]	679.9 Kbytes	共11頁	產(chǎn)品購買
FP50R06W2E3B11BOMA1	IGBT MODULE 600V 65A 175W	Infineon Technologies	673.82 Kbytes	共11頁	產(chǎn)品購買
FP50R06W2E3BOMA1	IGBT MODULE 600V 65A 175W	Infineon Technologies	1.26 Mbytes	共12頁	產(chǎn)品購買