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制造商:IXYS

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:ISOPLUS-i4-PAK-5

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:250 V

Id-連續(xù)漏極電流:30 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:60 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:4.5 V

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

Qg-柵極電荷:78 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:125 W

封裝:Tube

高度:21.34 mm

長度:20.29 mm

系列:FMM50-025TF

類型:Trench Gate HiperFET Power MOSFET

寬度:5.21 mm

商標(biāo):IXYS

正向跨導(dǎo) - 最小值:35 S

下降時間:25 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:25 ns

工廠包裝數(shù)量:25

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:47 ns

典型接通延遲時間:14 ns

單位重量:6.500 g