制造商:IXYS
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:ISOPLUS-i4-PAK-5
通道數(shù)量:2 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:150 V
Id-連續(xù)漏極電流:53 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:20 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:4.5 V
Vgs - 柵極-源極電壓:30 V
Qg-柵極電荷:150 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:180 W
配置:Dual
商標(biāo)名:TrenchT2
封裝:Tube
高度:21.34 mm
長(zhǎng)度:20.29 mm
系列:FMM110-015X2F
晶體管類(lèi)型:2 N-Channel
類(lèi)型:TrenchT2 HiperFET N-Channel Power MOSFET
寬度:5.21 mm
商標(biāo):IXYS
正向跨導(dǎo) - 最小值:75 S
下降時(shí)間:18 ns
產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET
上升時(shí)間:16 ns
工廠包裝數(shù)量:25
子類(lèi)別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:33 ns
典型接通延遲時(shí)間:33 ns
單位重量:6.500 g