制造商:ON Semiconductor
產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管
RoHS:是
技術(shù):Si
封裝 / 箱體:TO-263AB-3
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
配置:Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V
集電極—射極飽和電壓:2.1 V
柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流:14 A
Pd-功率耗散:83 W
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
系列:FGB7N60UNDF
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild
柵極—射極漏泄電流:+/- 10 uA
產(chǎn)品類型:IGBT Transistors
工廠包裝數(shù)量:800
子類別:IGBTs
單位重量:1.312 g