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制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管

RoHS:是

技術:Si

封裝 / 箱體:TO-3PF

安裝風格:Through Hole

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V

集電極—射極飽和電壓:1.9 V

柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V

在25 C的連續(xù)集電極電流:40 A

Pd-功率耗散:62.5 W

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

系列:FGAF20N60SMD

封裝:Tube

商標:ON Semiconductor / Fairchild

柵極—射極漏泄電流:400 nA

產(chǎn)品類型:IGBT Transistors

工廠包裝數(shù)量:360

子類別:IGBTs

單位重量:7 g