制造商:ON Semiconductor
產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管
RoHS:是
技術(shù):Si
封裝 / 箱體:TO-3PN
安裝風(fēng)格:Through Hole
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1100 V
集電極—射極飽和電壓:2.7 V
柵極/發(fā)射極最大電壓:25 V
在25 C的連續(xù)集電極電流:50 A
Pd-功率耗散:300 W
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
系列:FGA50S110P
封裝:Tube
商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild
柵極—射極漏泄電流:500 nA
產(chǎn)品類型:IGBT Transistors
工廠包裝數(shù)量:450
子類別:IGBTs
單位重量:6.401 g