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FF150R17KE4
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類(lèi):IGBT 模塊

RoHS:是

產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules

配置:Dual

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1700 V

集電極—射極飽和電壓:2.45 V

在25 C的連續(xù)集電極電流:250 A

柵極—射極漏泄電流:100 nA

Pd-功率耗散:1100 W

封裝 / 箱體:62 mm

最小工作溫度:- 40 C

最大工作溫度:+ 150 C

封裝:Tray

商標(biāo):Infineon Technologies

安裝風(fēng)格:Chassis Mount

柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V

產(chǎn)品類(lèi)型:IGBT Modules

工廠包裝數(shù)量:10

子類(lèi)別:IGBTs

零件號(hào)別名:FF150R17KE4HOSA1 SP000713524

單位重量:340 g

FF150R17KE4

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
FF150R17KE4	62mm C-Series module with Trench/Feldstopp Trench/Feldstopp IGBT4 and Emitter Controlled Diode	INFINEON[Infineon Technologies AG]	494.61 Kbytes	共9頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
FF150R17KE4	62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode	INFINEON[Infineon Technologies AG]	577.82 Kbytes	共8頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
FF150R17KE4_18	62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode	INFINEON[Infineon Technologies AG]	577.82 Kbytes	共8頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
FF150R17KE4HOSA1	MODULE IGBT 1700V AG-62MM-1	Infineon Technologies	571.75 Kbytes	共8頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)