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FF150R12KT3G
規(guī)格信息:

制造商:Infineon

產品種類:IGBT 模塊

RoHS:

產品:IGBT Silicon Modules

配置:Dual

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V

集電極—射極飽和電壓:2.15 V

在25 C的連續(xù)集電極電流:225 A

柵極—射極漏泄電流:400 nA

Pd-功率耗散:780 W

封裝 / 箱體:62 mm

最小工作溫度:- 40 C

最大工作溫度:+ 125 C

封裝:Tray

高度:30.9 mm

長度:106.4 mm

寬度:61.4 mm

商標:Infineon Technologies

安裝風格:Chassis Mount

柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V

產品類型:IGBT Modules

工廠包裝數(shù)量:10

子類別:IGBTs

零件號別名:FF150R12KT3GHOSA1 SP000100788

單位重量:340 g

介紹圖FF150R12KT3G
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
FF150R12KT3G62mm C-Serien Modul mit schnellem Trench/Feldstop IGBT3 und Emitter Controlled High Efficiency Diode INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網427.87 Kbytes共8頁FF150R12KT3G的PDF文件地址 FF150R12KT3G的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
FF150R12KT3GHOSA1IGBT MOD 1200V 225A 780WInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網421.78 Kbytes共8頁FF150R12KT3GHOSA1的PDF文件地址 FF150R12KT3GHOSA1的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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