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FDS2670 PDF文件_規(guī)格信息

FDS2670
規(guī)格信息：

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SO-8

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:200 V

Id-連續(xù)漏極電流:3 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:130 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:PowerTrench

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:1.75 mm

長度:4.9 mm

系列:FDS2670

晶體管類型:1 N-Channel

類型:MOSFET

寬度:3.9 mm

商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild

正向跨導(dǎo) - 最小值:15 S

下降時間:25 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:8 ns

工廠包裝數(shù)量:2500

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:30 ns

典型接通延遲時間:13 ns

零件號別名:FDS2670_NL

單位重量:130 mg

FDS2670

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
FDS2670	200V N-Channel PowerTrench MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	339.53 Kbytes	共8頁	FDC2612,FDD2612,FDD2670,FDP2670,FDS2170N7,STD4N20,FQAF34N20,FQD630,FQP5N20,FQPF4N20L	產(chǎn)品購買
FDS2670	200V N-Channel PowerTrench MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	107.56 Kbytes	共6頁	FDB2614,FDD8586,FDD6030L_03,FDW9926A,FDN361BN,FDMA420NZ_0609,FDMC2610_07,FDW2501N,FDR6580_01,2N6784	產(chǎn)品購買
FDS2670	Power Converter Topology and MOSFET Selection for 48-V Telecom	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	85.88 Kbytes	共12頁		產(chǎn)品購買
FDS2670_01	200V N-Channel PowerTrench MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	107.56 Kbytes	共6頁	FDB2614,FDD8586,FDD6030L_03,FDW9926A,FDN361BN,FDMA420NZ_0609,FDMC2610_07,FDW2501N,FDR6580_01,2N6784	產(chǎn)品購買

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