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FDS2170N7
規(guī)格信息:

標準包裝:2,500

類別:分立半導體產品

家庭:FET - 單

系列:PowerTrench®

包裝:帶卷(TR)

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標準

漏源極電壓(Vdss):200V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3A(Ta)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):128 毫歐 @ 3A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):36nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1292pF @ 100V

功率 - 最大值:1.8W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)裸焊盤

供應商器件封裝:8-SOIC

其它名稱:FDS2170N7_NLFDS2170N7_NLTRFDS2170N7_NLTR-NDFDS2170N7TR

介紹圖FDS2170N7
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
FDS2170N7200V N-Channel PowerTrench MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網209.04 Kbytes共6頁FDS2170N7的PDF文件地址FDC2612,FDD2612,FDD2670,FDP2670,FDS2670,STD4N20,FQAF34N20,FQD630,FQP5N20,FQPF4N20L FDS2170N7的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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