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制造商:Fairchild Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:否

Id-連續(xù)漏極電流:6.1 A

Vds-漏源極擊穿電壓:- 20 V

晶體管極性:P-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :8 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.8 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SSOT-8

封裝:Reel

商標(biāo):Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single Quint Drain Dual Source

下降時(shí)間:14 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時(shí)間:14 ns

系列:FDR836P

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:225 ns

典型接通延遲時(shí)間:10 ns