標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭:FET - 陣列
系列:PowerTrench®
包裝:帶卷(TR)
FET 類(lèi)型:2 個(gè) P 溝道(雙)
FET 功能:邏輯電平門(mén)
漏源極電壓(Vdss):20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3.2A
不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):50 毫歐 @ 3.2A,4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):19nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1240pF @ 10V
功率 - 最大值:800mW
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SSOT,SuperSOT-8
供應(yīng)商器件封裝:8-SSOT
其它名稱(chēng):FDR8308P-NDFDR8308PTR
FDR8308P
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDR8308P | Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET | FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor] | 268.27 Kbytes | 共8頁(yè) | FDS4953,FDS6975,FDC658P,FDS6685,FDS6930A,FDS6961A,FDC6506P,FDR858P,FDC6561AN,FQS4900 | 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi) |
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