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FDP8870_F085
規(guī)格信息：

通道類型：N

最大連續(xù)漏極電流：156 A

最大漏源電壓：30 V

最大漏源電阻值：6.5 m0hms

最小柵閾值電壓：1.2V

最大柵源電壓：-20 V、+20 V

封裝類型：TO-220AB

安裝類型：通孔

晶體管配置：單

引腳數(shù)目：3

通道模式：增強

類別：功率 MOSFET

最大功率耗散：160 W

典型接通延遲時間：11 ns

典型關(guān)斷延遲時間：70 ns

典型輸入電容值@Vds：5200 pF @ 15 V

典型柵極電荷@Vgs：106 nC @ 10 V

晶體管材料：Si

系列：PowerTrench

寬度：4.7mm

最低工作溫度：-55 °C

最高工作溫度：+175 °C

長度：10.67mm

高度：16.3mm

尺寸：10.67 x 4.7 x 16.3mm

每片芯片元件數(shù)目：1

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

FDP8870_F085

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
FDP8870_F085	N-Channel PowerTrench MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	571.45 Kbytes	共10頁	產(chǎn)品購買
FDP8870-F085	MOSFET N-CH 30V 156A TO-220	ON Semiconductor	516.80 Kbytes	共12頁	產(chǎn)品購買
FDP8870-F085	MOSFET N-CH 30V 19A/156A TO220-3	Fairchild Semiconductor	516.80 Kbytes	共12頁	產(chǎn)品購買
FDP8870-F085	MOSFET N-CH 30V 19A/156A TO220-3	ON Semiconductor	516.80 Kbytes	共12頁	產(chǎn)品購買