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FDP100N10
規(guī)格信息:

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:100 V

Id-連續(xù)漏極電流:75 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:10 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:208 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:PowerTrench

封裝:Tube

高度:16.3 mm

長度:10.67 mm

系列:FDP100N10

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:4.7 mm

商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild

下降時(shí)間:115 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時(shí)間:265 ns

工廠包裝數(shù)量:800

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:125 ns

典型接通延遲時(shí)間:70 ns

單位重量:1.800 g

介紹圖FDP100N10
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
FDP100N10N-Channel PowerTrench?? MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)454.59 Kbytes共8頁FDP100N10的PDF文件地址FDM3300NZ_07,FDS3992_04,FDMS9600S,FDD5690_02,FDM3622_07,FDA8440,FDM6296_07,FDB20AN06A0,FDI8442,FDMS8680 FDP100N10的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
FDP100N10isc N-Channel MOSFET Transistor ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]的LOGO-天天IC網(wǎng)318.49 Kbytes共2頁FDP100N10的PDF文件地址 FDP100N10的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
FDP100N10_12N-Channel PowerTrench?? MOSFET 100V, 75A, 10m?? FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)417.97 Kbytes共8頁FDP100N10_12的PDF文件地址 FDP100N10_12的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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