制造商:ON Semiconductor
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:100 V
Id-連續(xù)漏極電流:75 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:9 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:208 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:PowerTrench
封裝:Tube
高度:16.3 mm
長度:10.67 mm
系列:FDP090N10
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:4.7 mm
商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild
下降時(shí)間:149 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:322 ns
工廠包裝數(shù)量:800
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:166 ns
典型接通延遲時(shí)間:107 ns
單位重量:1.800 g
FDP090N10
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDP090N10 | N-Channel PowerTrench?? MOSFET 100V, 75A, 9m?? | FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor] | 508.05 Kbytes | 共8頁 | FDM3622_07,FDD8880_08,FDS3992_04,FDPF3860T,FDB047N10,FDB150N10,FDD8447L_08,STN2NF10_07,FDS4470_06,FDD8453LZ | 產(chǎn)品購買 | |||
| FDP090N10 | isc N-Channel MOSFET Transistor | ISC[Inchange Semiconductor Company Limited] | 296.36 Kbytes | 共2頁 | 產(chǎn)品購買 |
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