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FDMC86102
規(guī)格信息:

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:Power-33-8

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:100 V

Id-連續(xù)漏極電流:20 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:32.8 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:8 nC, 13 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.3 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:PowerTrench

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:0.8 mm

長度:3.3 mm

系列:FDMC86102

晶體管類型:1 N-Channel

類型:Power Trench MOSFET

寬度:3.3 mm

商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild

正向跨導(dǎo) - 最小值:19 S

下降時間:4 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:4 ns

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:14 ns

典型接通延遲時間:8 ns

單位重量:32.130 mg

介紹圖FDMC86102
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