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FDD86367
規(guī)格信息：

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TO-252-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:80 V

Id-連續(xù)漏極電流:100 A

Rds On-漏源導通電阻:3.3 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:88 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:227 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

資格:AEC-Q101

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

系列:FDD86367

晶體管類型:1 N-Channel

商標:ON Semiconductor / Fairchild

下降時間:16 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:49 ns

工廠包裝數(shù)量:2500

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:36 ns

典型接通延遲時間:20 ns

單位重量:260.370 mg

FDD86367

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
FDD86367	N-Channel PowerTrench MOSFET	ONSEMI[ON Semiconductor]	996.89 Kbytes	共8頁	產(chǎn)品購買
FDD86367_F085	Automotive Engine Control	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	340.92 Kbytes	共6頁	產(chǎn)品購買
FDD86367-F085	MOSFET MV7 80/20V1000A N-CH PowerTrench MOSFET	ON Semiconductor / Fairchild	543.11 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
FDD86367-F085	MOSFET N-CH 80V 100A DPAK	ON Semiconductor	340.53 Kbytes	共7頁	產(chǎn)品購買