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FDD86102
規(guī)格信息：

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TO-252-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:100 V

Id-連續(xù)漏極電流:8 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:19 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:3.1 V

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:13.4 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 125 C

Pd-功率耗散:3.1 W

配置:Single

商標(biāo)名:PowerTrench

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:2.39 mm

長(zhǎng)度:6.73 mm

系列:FDD86102

晶體管類(lèi)型:1 N-Channel

寬度:6.22 mm

商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild

正向跨導(dǎo) - 最小值:21 S

產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET

工廠包裝數(shù)量:2500

子類(lèi)別:MOSFETs

單位重量:260.370 mg

FDD86102

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
FDD86102	N-Channel PowerTrench?? MOSFET 100 V, 36 A, 24 m??	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	396.48 Kbytes	共6頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
FDD86102LZ	N-Channel PowerTrench?? MOSFET 100 V, 35 A, 22.5 m??	DIODES[Diodes Incorporated]	372.26 Kbytes	共6頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
FDD86102LZ	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	282.44 Kbytes	共2頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
FDD86102LZ	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]	960.99 Kbytes	共8頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
FDD86102LZ	N-Channel PowerTrench? MOSFET 100 V, 35 A, 22.5 mΩ	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	372.26 Kbytes	共6頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
FDD86102LZ_12	N-Channel PowerTrench?? MOSFET 100 V, 35 A, 22.5 m??	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	372.26 Kbytes	共6頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)