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制造商:Fairchild Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:4.4 A

Vds-漏源極擊穿電壓:250 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.1 Ohms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :30 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:50 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:DPAK-3

商標(biāo):Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時(shí)間:12 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時(shí)間:25 ns

系列:FDD6N25

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:7 ns

典型接通延遲時(shí)間:10 ns