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FDD6680A
規(guī)格信息：

FET 類型：N 溝道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：30V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：14A（Ta），56A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：20nC @ 5V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：1425pF @ 15V

功率耗散（最大值）：2.8W（Ta），60W（Tc）

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：9.5 毫歐 @ 14A，10V

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝

供應商器件封裝：D-PAK（TO-252）

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

FDD6680A

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
FDD6680A	N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	200.47 Kbytes	共8頁	FDS6680A,SI4822DY,FDT461N,FDS7760A,FDD6035AL,FDS6690,FDZ5047N,FDP6030BL,FDZ7064N,SI4884DY	產(chǎn)品購買
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