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FDD6030L PDF文件_規(guī)格信息

FDD6030L
規(guī)格信息：

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TO-252-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:30 V

Id-連續(xù)漏極電流:50 A

Rds On-漏源導通電阻:7.7 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:28 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:56 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:PowerTrench

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:2.39 mm

長度:6.73 mm

系列:FDD6030L

晶體管類型:1 N-Channel

類型:MOSFET

寬度:6.22 mm

商標:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨導 - 最小值:47 S

下降時間:12 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:7 ns

工廠包裝數(shù)量:2500

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:29 ns

典型接通延遲時間:10 ns

零件號別名:FDD6030L_NL

單位重量:260.370 mg

FDD6030L

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關型號	產(chǎn)品購買
FDD6030L	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	169.53 Kbytes	共6頁	NDP4060L,SI3442DV,CEP6030LS2,CEP7060LR,P3055LS,P75N02LS,CEP06N5,NDP6060L,NDS331N,CEP6031L	產(chǎn)品購買
FDD6030L	30V N-Channel PowerTrench MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	118.78 Kbytes	共6頁	FDN361BN,FDS8812NZ,FDS8813NZ,FDS8817NZ,FDR6674A,FDB8832,FDFS6N548,STB70NFS03L_06,STD100NH03L_06,STSJ100NHS3LL	產(chǎn)品購買
FDD6030L_03	30V N-Channel PowerTrench MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	118.78 Kbytes	共6頁	FDN361BN,FDS8812NZ,FDS8813NZ,FDS8817NZ,FDR6674A,FDB8832,FDFS6N548,STB70NFS03L_06,STD100NH03L_06,STSJ100NHS3LL	產(chǎn)品購買

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