琅琊榜海宴小说,辰东

FDD5810
規(guī)格信息：

FET 類型：N 溝道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：7.4A（Ta），37A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：34nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：1890pF @ 25V

功率耗散（最大值）：72W（Tc）

不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：22 毫歐 @ 32A，10V

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝：D-PAK（TO-252）

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

FDD5810

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
FDD5810	N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 35A, 27mOhm	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	266.77 Kbytes	共7頁	STD30NF06L,STD35NF06L,FDD8780,FDD8796,STB60NF06,STD40NF06LZ,STS7NF60L,FDP5645,FQB13N06	產(chǎn)品購買
FDD5810	N-Channel Logic Level Trench?? MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	359.11 Kbytes	共7頁	FDS6670A_03,SFF7002KA2GW,FDS6912_0007,FDS6912A_03,MLP1N06CL,FDB8832,FDP5800,FDN361BN,FDC855N,FDN5632N_F085	產(chǎn)品購買
FDD5810	N-Channel Logic Level Trench MOSFET 60V, 36A, 27m	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	454.75 Kbytes	共7頁		產(chǎn)品購買
FDD5810	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	310.15 Kbytes	共2頁		產(chǎn)品購買
FDD5810_07	N-Channel Logic Level Trench?? MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	359.11 Kbytes	共7頁	FDS6670A_03,SFF7002KA2GW,FDS6912_0007,FDS6912A_03,MLP1N06CL,FDB8832,FDP5800,FDN361BN,FDC855N,FDN5632N_F085	產(chǎn)品購買
FDD5810_10	N-Channel Logic Level Trench?? MOSFET 60V, 36A, 27m"	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	229.74 Kbytes	共7頁		產(chǎn)品購買
FDD5810-F085	N-Channel Logic Level Trench MOSFET 60V, 36A, 27m	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	454.75 Kbytes	共7頁		產(chǎn)品購買