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通道類型：N

最大連續(xù)漏極電流：70 A

最大漏源電壓：40 V

最大漏源電阻值：0.0172 0hms

最小柵閾值電壓：2.5V

最大柵源電壓：-20 V、+20 V

封裝類型：D2PAK (TO-263)

安裝類型：表面貼裝

晶體管配置：單

引腳數(shù)目：3

通道模式：增強

類別：功率 MOSFET

最大功率耗散：92 W

每片芯片元件數(shù)目：1

最低工作溫度：-55 °C

尺寸：10.67 x 9.65 x 4.83mm

系列：PowerTrench

長度：10.67mm

晶體管材料：Si

高度：4.83mm

典型輸入電容值@Vds：2860 pF @ 25 V

典型關斷延遲時間：36 ns

典型接通延遲時間：10 ns

寬度：9.65mm

最高工作溫度：+175 °C

典型柵極電荷@Vgs：44 nC @ 10 V

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs