標(biāo)準(zhǔn)包裝:800
類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭:FET - 單
系列:PowerTrench®
包裝:帶卷(TR)
FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門(mén)
漏源極電壓(Vdss):40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):28A(Ta),80A(Tc)
不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2.9 毫歐 @ 80A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):235nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):12200pF @ 25V
功率 - 最大值:254W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝:D²PAK
其它名稱(chēng):FDB8442TR
FDB8442
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| FDB8442 | N-Channel PowerTrench MOSFET | FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor] | 317.66 Kbytes | 共7頁(yè) | FDB8832,FDB2710,FDR6674A,FDD6635,IXTP02N50D,2SK3613-01,SI1304DL,PJP75N75,SI6862DQ | 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi) | |||
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