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FDA59N30
規(guī)格信息:

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-3PN-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:300 V

Id-連續(xù)漏極電流:59 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:56 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:500 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Tube

高度:20.1 mm

長度:16.2 mm

系列:FDA59N30

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:5 mm

商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild

下降時間:200 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:575 ns

工廠包裝數(shù)量:450

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:120 ns

典型接通延遲時間:140 ns

零件號別名:FDA59N30_NL

單位重量:6.401 g

介紹圖FDA59N30
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
FDA59N30300V N-Channel MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)693.79 Kbytes共8頁FDA59N30的PDF文件地址FQB2N30,FQPF2N30,FQB3N30,FQPF3N30,FQB5N30,FQPF5N30,FQA26N30,FQPF9N30,FQAF22N30,FQD2N30 FDA59N30的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
FDA59N30DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)298.83 Kbytes共14頁FDA59N30的PDF文件地址 FDA59N30的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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