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制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-3PN-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:300 V

Id-連續(xù)漏極電流:38 A

Rds On-漏源導通電阻:70 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:5 V

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

Qg-柵極電荷:60 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 125 C

Pd-功率耗散:312 W

配置:Single

商標名:UniFET

封裝:Tube

高度:20.1 mm

長度:16.2 mm

系列:FDA38N30

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:5 mm

商標:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨導 - 最小值:6.3 S

產(chǎn)品類型:MOSFET

工廠包裝數(shù)量:450

子類別:MOSFETs

單位重量:6.401 g