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FDA20N50_F109
規(guī)格信息:

標準包裝:30

類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭:FET - 單

系列:UniFET??

包裝:管件

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標準

漏源極電壓(Vdss):500V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):22A(Tc)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):230 毫歐 @ 11A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):59.5nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3120pF @ 25V

功率 - 最大值:280W

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3

供應(yīng)商器件封裝:TO-3P

其它名稱:FDA20N50FDA20N50-ND

介紹圖FDA20N50_F109
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
FDA20N50_F109500V N-Channel MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)740.08 Kbytes共9頁FDA20N50_F109的PDF文件地址STW26NM50,FDH45N50F_0605,FDP12N50,FDA20N50F,FQP13N50CF,FDA24N50,IRF840B_05,STP9NK50Z_04,TSM5NS50,FDB12N50F FDA20N50_F109的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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