制造商:ON Semiconductor
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:Power-88-4
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:600 V
Id-連續(xù)漏極電流:12 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:299 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:3.5 V
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Qg-柵極電荷:39 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:125 W
配置:Single
商標(biāo)名:SuperFET II
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:1.1 mm
長(zhǎng)度:8 mm
系列:FCMT299N60
晶體管類(lèi)型:1 N-Channel
寬度:8 mm
商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導(dǎo) - 最小值:12 S
下降時(shí)間:7 ns
產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET
上升時(shí)間:9 ns
工廠(chǎng)包裝數(shù)量:3000
子類(lèi)別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:51 ns
典型接通延遲時(shí)間:19 ns
單位重量:449.030 mg