制造商:ON Semiconductor
產品種類:MOSFET
RoHS:是
技術:Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:Power-88-4
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:600 V
Id-連續(xù)漏極電流:20.2 A
Rds On-漏源導通電阻:199 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V, 30 V
Qg-柵極電荷:57 nC
最小工作溫度:- 50 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:208 W
商標名:SuperFET II
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:1.1 mm
長度:8 mm
系列:FCMT199N60
寬度:8 mm
商標:ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導 - 最小值:20 S
下降時間:5 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:10 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:64 ns
典型接通延遲時間:20 ns
單位重量:449.030 mg