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制造商:Diodes Incorporated

產品種類:MOSFET

技術:Si

封裝 / 箱體:PowerDI3333-8

通道數量:1 Channel

晶體管極性:P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:30 V

Id-連續(xù)漏極電流:30 A

Rds On-漏源導通電阻:20 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V

Vgs - 柵極-源極電壓:10 V

Qg-柵極電荷:16.5 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.3 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

晶體管類型:1 P-Channel

商標:Diodes Incorporated

下降時間:31.6 ns

產品類型:MOSFET

上升時間:14 ns

工廠包裝數量:2000

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:65 ns

典型接通延遲時間:8.2 ns