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制造商:Diodes Incorporated

產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:X2-DFN0806-6

通道數(shù)量:2 Channel

晶體管極性:P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:20 V

Id-連續(xù)漏極電流:328 mA

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.2 Ohms

Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V

Vgs - 柵極-源極電壓:8 V

Qg-柵極電荷:400 pC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:310 mW

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封裝:Reel

晶體管類(lèi)型:2 P-Channel

商標(biāo):Diodes Incorporated

下降時(shí)間:15.4 ns

產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET

上升時(shí)間:4.3 ns

工廠包裝數(shù)量:10000

子類(lèi)別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:31 ns

典型接通延遲時(shí)間:5.2 ns

單位重量:1 mg