系列：DMP
單位重量：8 mg
高度：1 mm
長度：2.9 mm
寬度：1.3 mm
最大工作溫度：+ 150 C
最小工作溫度：- 55 C
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
配置：Single
Vgs-柵極-源極電壓：12 V
Pd-功率耗散：1.08 W
通道數(shù)量：1 Channel
Id-連續(xù)漏極電流：- 2.7 A
Vds-漏源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管類型：1 P-Channel
RdsOn-漏源導(dǎo)通電阻：100 mOhms
通道模式：Enhancement
晶體管極性：P-Channel
FET類型：P 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）：2.7A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V
不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）：1.25V @ 250μA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：5.3nC @ 4.5V
不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：250pF @ 10V
Vgs（最大值）：±12V
功率耗散（最大值）：1.08W（Ta）
不同?Id，Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：100 毫歐 @ 2.7A，4.5V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封裝形式Package：SOT-23
極性Polarity：P-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：20V
連續(xù)漏極電流ID：2.7A
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs