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制造商:Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類:MOSFET
Id-連續(xù)漏極電流:3.4 A
Vds-漏源極擊穿電壓:20 V
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:80 mOhms
晶體管極性:N-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓 :12 V
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:1.25 W
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOT-563-6
商標:Diodes Incorporated
通道模式:Enhancement
配置:Single Quad Drain
下降時間:20 ns
最小工作溫度:- 55 C
上升時間:20 ns
系列:DMP2130
典型關(guān)閉延遲時間:38 ns
典型接通延遲時間:12 ns
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