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DMP2104LP
規(guī)格信息：

制造商:Diodes Incorporated

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:1.5 A

Vds-漏源極擊穿電壓:- 20 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:150 mOhms

晶體管極性:P-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :12 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:500 mW

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:DFN-3

商標(biāo):Diodes Incorporated

通道模式:Enhancement

配置:Single

最小工作溫度:- 55 C

系列:DMP2104

DMP2104LP

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
DMP2104LP	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	DIODES[Diodes Incorporated]	311.11 Kbytes	共4頁	DMP3030SN,CEM4301,CEM8311,CED4531,DMP2012SN,P6803NAG,CEP12P10,CED20P06,DMP2104V,CEM4311	產(chǎn)品購買
DMP2104LP_15	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	DIODES[Diodes Incorporated]	324.04 Kbytes	共4頁		產(chǎn)品購買
DMP2104LP-7	MOSFET P-Channel	Diodes Incorporated	272.58 Kbytes	共4頁		產(chǎn)品購買
DMP2104LP-7	MOSFET P-CH 20V 1.5A 3DFN1411	Diodes Incorporated	317.51 Kbytes	共4頁		產(chǎn)品購買
DMP2104LP-7	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：1.5A 漏源電壓（Vdss）：20V 柵源極閾值電壓：1V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：150mΩ @ 900mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 類型：P溝道	DIODES(美臺)	317.51 Kbytes	共4頁		產(chǎn)品購買