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通道類型：N

最大連續(xù)漏極電流：39 A

最大漏源電壓：40 V

最大漏源電阻值：14.5 m0hms

最大柵閾值電壓：3V

最大柵源電壓：-20 V、+20 V

封裝類型：DPAK (TO-252)

安裝類型：表面貼裝

晶體管配置：單

引腳數(shù)目：3

通道模式：增強

最大功率耗散：1.6 W

最低工作溫度：-55 °C

最高工作溫度：+150 °C

每片芯片元件數(shù)目：1

長度：6.7mm

高度：2.39mm

寬度：6.2mm

晶體管材料：Si

典型柵極電荷@Vgs：37 nC @ 10 V

典型輸入電容值@Vds：1810 pF @ 20 V

典型關(guān)斷延遲時間：36 ns

典型接通延遲時間：5.1 ns

尺寸：6.7 x 6.2 x 2.39mm

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs