制造商:Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:V-DFN3020-8
通道數(shù)量:2 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
Id-連續(xù)漏極電流:5.5 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:45 mOhms, 45 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Qg-柵極電荷:9.9 nC, 9.9 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:1.78 W
配置:Dual
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:0.8 mm
長度:3 mm
產(chǎn)品:Enhancement Mode MOSFET
系列:DMN3035
晶體管類型:2 N-Channel
類型:Enhancement Mode MOSFET
寬度:3 mm
商標(biāo):Diodes Incorporated
正向跨導(dǎo) - 最小值:-
下降時間:2 ns, 2 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:3.3 ns, 3.3 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:10.6 ns, 10.6 ns
典型接通延遲時間:3 ns, 3 ns