系列：DMN
單位重量：8 mg
高度：1.1 mm
長度：3 mm
寬度：1.6 mm
最大工作溫度：+ 150 C
最小工作溫度：- 55 C
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
配置：Single
典型接通延遲時間：11 ns
上升時間：7 ns
Vgs-柵極-源極電壓：20 V
Pd-功率耗散：1.4 W
通道數(shù)量：1 Channel
Id-連續(xù)漏極電流：6:00 AM
Vds-漏源極擊穿電壓：30 V
晶體管類型：1 N-Channel
RdsOn-漏源導(dǎo)通電阻：40 mOhms
通道模式：Enhancement
晶體管極性：N-Channel
典型關(guān)閉延遲時間：63 ns
FET類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：6A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）：2.1V @ 250μA
不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：10.5nC @ 5V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：755pF @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）
不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：30 毫歐 @ 6A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封裝形式Package：SC-59
極性Polarity：N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：30V
連續(xù)漏極電流ID：6A
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs