制造商:Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SO-8
通道數(shù)量:2 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
Id-連續(xù)漏極電流:7.2 A
Rds On-漏源導通電阻:24 mOhms, 24 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Qg-柵極電荷:12.9 nC, 12.9 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:1.3 W
配置:Dual
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
產(chǎn)品:MOSFET Small Signal
系列:DMN3024
晶體管類型:2 N-Channel
商標:Diodes Incorporated
正向跨導 - 最小值:16.5 S, 16.5 S
下降時間:8 ns, 8 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:3.3 ns, 3.3 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:16 ns, 16 ns
典型接通延遲時間:2.9 ns, 2.9 ns
單位重量:74 mg