制造商:Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:PowerDI3333-8
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:100 V
Id-連續(xù)漏極電流:4.2 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:54 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:1.5 V
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Qg-柵極電荷:25.2 nC
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:980 mW
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:PowerDI
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
系列:DMN10
晶體管類型:1 N-Channel
商標(biāo):Diodes Incorporated
下降時間:7.3 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:5.9 ns
工廠包裝數(shù)量:2000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:20 ns
典型接通延遲時間:5.4 ns
單位重量:72 mg