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DMN1045UFR4
規(guī)格信息：

制造廠商:DIODES[Diodes Incorporated]

描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

介紹圖DMN1045UFR4
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DMN1045UFR4N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO-天天IC網(wǎng)451.03 Kbytes共6頁DMN1045UFR4的PDF文件地址 DMN1045UFR4的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
DMN1045UFR4_15N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO-天天IC網(wǎng)451.03 Kbytes共6頁DMN1045UFR4_15的PDF文件地址 DMN1045UFR4_15的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
DMN1045UFR4-7MOSFET N-Ch Enh Mode FET 12V 3.2A 8VgssDiodes IncorporatedDiodes Incorporated的LOGO-天天IC網(wǎng)385.10 Kbytes共6頁DMN1045UFR4-7的PDF文件地址 DMN1045UFR4-7的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
DMN1045UFR4-7MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3Diodes IncorporatedDiodes Incorporated的LOGO-天天IC網(wǎng)445.39 Kbytes共6頁DMN1045UFR4-7的PDF文件地址 DMN1045UFR4-7的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
DMN1045UFR4-7連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：3.2A 漏源電壓（Vdss）：12V 柵源極閾值電壓：1V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：45mΩ @ 3.2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 類型：N溝道DIODES(美臺(tái))DIODES(美臺(tái))的LOGO-天天IC網(wǎng)445.39 Kbytes共6頁DMN1045UFR4-7的PDF文件地址 DMN1045UFR4-7的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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