包裝管件
系列C3M?
零件狀態(tài)有源
FET 類型N 通道
技術(shù)SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss）1200V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）30A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）15V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）90 毫歐 @ 20A，15V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）4V @ 5mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）54nC @ 15V
Vgs（最大值）+19V，-8V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）1350pF @ 1000V
FET 功能-
功率耗散（最大值）113.6W（Tc）
工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型通孔
供應(yīng)商器件封裝TO-247-3
封裝/外殼TO-247-3