制造商:Cree, Inc.
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
RoHS:是
技術(shù):SiC
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:TO-263-7
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:900 V
Id-連續(xù)漏極電流:35 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:90 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:1.8 V
Vgs - 柵極-源極電壓:18 V, - 8 V
Qg-柵極電荷:30 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:113 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Tube
產(chǎn)品:Power MOSFET
類(lèi)型:Silicon Carbide MOSFET
商標(biāo):Wolfspeed / Cree
正向跨導(dǎo) - 最小值:11.6 S
下降時(shí)間:5 ns
產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET
上升時(shí)間:6.5 ns
工廠包裝數(shù)量:50
子類(lèi)別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:15 ns
典型接通延遲時(shí)間:7.2 ns
單位重量:1.600 g